缺陷- skyrmion 相互作用轮廓的普适性
介观与纳米尺度物理
2018-10-23 v1
摘要
磁性 skyrmion 是未来自旋电子器件的理想候选者。然而，将其作为信息技术的实体加以应用，取决于它们与任何器件中普遍存在的缺陷的相互作用。在此，我们从第一性原理出发映射了单个 skyrmion 与单原子杂质相互作用的能量轮廓，确立了作为缺陷电子填充函数的通用形状。根据其化学本质，外来的 3d 与 4d 过渡金属吸附原子或表面注入缺陷可在 PdFe/Ir(111) 薄膜中排斥或钉扎 skyrmion，我们将其归因于与非共线磁结构邻近性固有的成键与反键电子态的填充程度。与催化与表面科学中键理论的若干关键概念的相似性，赋予了相互作用轮廓形状的普适性以及预测其相互作用的潜力。由此获得的基础性理解可为设计具有表面注入缺陷以产生并控制 skyrmion 的器件提供指导。
引用
@article{arxiv.1810.09336,
title = {Universality of defect-skyrmion interaction profiles},
author = {Imara Lima Fernandes and Juba Bouaziz and Stefan Blügel and Samir Lounis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.09336},
year = {2018}
}
备注
22 pages, 4 figures, Supplementary Information