MnSi 中原子缺陷对斯格明子钉扎的密度泛函理论研究
材料科学
2016-03-23 v1
摘要
在手性磁体中实验观测到的磁性斯格明子是一种拓扑保护的自旋纹理。由于其独特的特性，例如电流驱动下的高迁移率，斯格明子在下一代自旋电子器件中具有巨大的应用潜力。磁体中天然存在的缺陷对斯格明子的静态和动态性质有深远影响。在本工作中，我们以 MnSi 为例，利用密度泛函理论内的第一性原理计算研究了原子缺陷对斯格明子的影响。通过将 Mn 或 Si 的一个位点替换为不同元素，我们可以调节钉扎能。原子缺陷引起的钉扎效应可以在唯象模型内定性地理解。
引用
@article{arxiv.1601.00933,
title = {Density functional theory study of skyrmion pinning by atomic defects in MnSi},
author = {Hong Chul Choi and Shi-Zeng Lin and Jian-Xin Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.00933},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 7 figures