用于全电学探测非共线自旋织构的缺陷注入
介观与纳米尺度物理
2019-06-24 v1
摘要
过去、当前和未来信息技术设备的可行性取决于它们对杂质存在的灵敏度。杂质可导致电阻率反常（即所谓的 Kondo 效应），外在重塑霍尔效应，或降低自旋电子学中至关重要的磁电阻效应效率。本文证明原子缺陷能够实现高效的全电学探测自旋涡旋织构，特别是磁 skyrmion（磁斯格明子），其是未来自旋电子学器件中有希望的位候选。杂质放大裸输运信号，并可根据其化学性质显著改变自旋混合磁电阻（XMR）。如对在 Ir(111) 上沉积的 PdFe 双层中生成的 skyrmion 附近注入的 3d 和 4d 过渡金属缺陷所示，这两种效应均通过缺陷增强的 XMR（DXMR）来监测。器件中杂质的不可避免性促进了 DXMR 在读架构中的实现，对磁存储技术具有直接意义。
引用
@article{arxiv.1906.08838,
title = {Defect-implantation for the all-electrical detection of non-collinear spin-textures},
author = {Imara Lima Fernandes and Mohammed Bouhassoune and Samir Lounis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.08838},
year = {2019}
}
备注
22 pages, 4 figures