垂直磁化 CoFeB 超薄膜中的缺陷关联斯格明子及其可控生成
介观与纳米尺度物理
2021-08-25 v1
摘要
斯格明子因其拓扑自旋结构及迷人的物理特性而引起了极大兴趣。斯格明子相出现在具有 Dzyaloshinskii-Moriya (DM) 相互作用的界面处或非中心对称材料体相中。然而，尽管斯格明子已在实验中生成，制备、微观结构、磁化与斯格明子存在性之间的一个关键内在联系仍有待建立。本文采用两组具有可控原子尺度结构的 CoFeB 超薄膜来揭示该关系。通过反转生长顺序，可人为调节缺陷数量，并且表明斯格明子优先在缺陷位点形成。利用一阶反转曲线达到多种亚稳态，可在返回磁化回线中有效调控斯格明子的稳定区域与密度。这些发现建立了从样品制备到斯格明子生成的普遍且内在的联系，提供了一种控制斯格明子密度的通用方法。
引用
@article{arxiv.2006.02864,
title = {Defect-Correlated Skyrmions and Controllable Generation in Perpendicularly Magnetized CoFeB Ultrathin Films},
author = {Haihong Yin and Xiangyu Zheng and Junlin Wang and Yu Zhou and Balati Kuerbanjiang and Guanqi Li and Xianyang Lu and Yichuan Wang and Jing Wu and Vlado K. Lazarov and Richard F. L. Evans and Roy W. Chantre and Jianwang Cai and Bo Liu and Hao Meng and Yongbing Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.02864},
year = {2021}
}
备注
25 pages, 5 figures