通过氢暴露在超薄铁膜中诱导斯格明子
材料科学
2018-05-09 v1
摘要
磁性斯格明子是局域的纳米尺度类粒子自旋构型，有望用作下一代信息技术中的比特。迈向未来基于斯格明子应用的关键一步是调控关键磁参数以开发和稳定单个磁性斯格明子。在此，我们展示了通过在Ir(111)衬底上的铁双层中载入原子氢来调控其非共线磁态。利用自旋极化扫描隧道显微镜，我们发现氢化体系在外磁场中支持斯格明子的形成，而原始铁双层则不支持。基于第一性原理计算，我们将此效应归因于氢化对海森堡交换和Dzyaloshinsky-Moriya相互作用的调控。除界面工程外，薄膜磁体的氢化提供了一条在低维磁性材料中设计和优化斯格明子态的独特途径。
引用
@article{arxiv.1711.06784,
title = {Inducing skyrmions in ultrathin Fe films by hydrogen exposure},
author = {Pin-Jui Hsu and Levente Rozsa and Aurore Finco and Lorenz Schmidt and Krisztian Palotas and Elena Vedmedenko and Laszlo Udvardi and Laszlo Szunyogh and Andre Kubetzka and Kirsten von Bergmann and Roland Wiesendanger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.06784},
year = {2018}
}