斯格明子：面向未来电子器件的材料视角综述
材料科学
2024-02-13 v3 应用物理
摘要
近年来，由于磁性斯格明子能够改进当代自旋电子器件，其研究兴趣急剧上升。这篇综述文章概述了导致斯格明子形成的各种磁相互作用，以及不同的非中心对称和中心对称斯格明子候选材料。多年来，被称为Dzyaloshinskii-Moriya相互作用(DMI)的磁相互作用已被广泛研究，以更好地理解具有较大斯格明子尺寸的手性磁体中斯格明子的机制。由于其斯格明子尺寸较小，中心对称的阻挫磁体容纳了由长程相互作用（如Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida相互作用(RKKY)）控制的斯格明子，这可能有助于开发高密度存储器件。为了为斯格明子形成中涉及的磁相互作用及许多其他特殊物理性质奠定坚实基础，需要在中心对称斯格明子领域进行更多研究。除了研究具有小斯格明子尺寸的候选材料外，未来的主要目标之一是使用极化磁振子更好地理解斯格明子的动力学，这对自旋电子学应用可能极为有益。
引用
@article{arxiv.2402.01503,
title = {Skyrmions: A review on materials perspective for future electronic devices},
author = {Vineet Kumar Sharma and Alana Okullo and Jalen Garner and Cheng Peng and Rajan Plumley and Adrian Feiguin and Chunjing Jia and Josh Turner and A. Bansil and Sugata Chowdhury},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.01503},
year = {2024}
}