缺陷附近的斯格明子
介观与纳米尺度物理
2021-05-26 v2
摘要
我们研究了在有限厚度薄膜中交换减小缺陷对斯格明子的影响。通过计算考虑交换作用、Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用、磁各向异性和偶极-偶极耦合的微磁能量，在晶格模型中证明了斯格明子被缺陷吸引。通过在晶格上数值求解完整的 Landau-Lifshitz-Gilbert 方程以及独立求解 Thiele 方程，阐明了斯格明子向缺陷螺旋靠近的动力学，两种方法的结果相互一致。我们发现斯格明子在接近缺陷时会发生形变。在远离决定斯格明子稳定性的相界参数空间中，形变很小。在相界附近，形变急剧增加，导致斯格明子被缺陷转化为蛇形磁畴。
引用
@article{arxiv.2010.14683,
title = {Skyrmions Near Defects},
author = {Amel Derras-Chouk and Eugene M. Chudnovsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.14683},
year = {2021}
}