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单层二硒化钒中增强的电子—电子关联驱动朝向完美费米面嵌套的普适重整化群流

强关联电子 2019-01-15 v3

摘要

在本研究中,我们考察单层二硒化钒(VSe2VSe_{2})中电荷有序转变的性质,该转变因增强的电子—电子关联而区别于块体 VSe2VSe_{2} 样品。近期角分辨光电子能谱测量揭示其费米面嵌套变得完美,其中热电子在嵌套波矢正交方向上的动力学无色散。此外,扫描隧道显微镜测量确认所得 CDW 态显示出与 VSe2VSe_{2} 三维体系基本相同的调制图样。此处,我们基于临界 CDW 涨落与不完美费米面嵌套热电子的有效场论进行重整化群分析。结果我们揭示,不完美嵌套在二维中普适地流至完美嵌套,其中沿嵌套矢正交方向的费米速度普遍消失。我们认为这一电子重构解释了所观测到的 CDW 转变温度大幅增强至约 Tc>300T_{c} > 300 KK,高于块体样品的现象。

关键词

引用

@article{arxiv.1804.03766,
  title  = {Universal renormalization group flow toward perfect Fermi-surface nesting driven by enhanced electron-electron correlations in monolayer vanadium diselenide},
  author = {Iksu Jang and Ganbat Duvjir and Byoung Ki Choi and Jungdae Kim and Young Jun Chang and Ki-Seok Kim},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1804.03766},
  year   = {2019}
}