通过顺序淬火-退火处理获得的超薄银膜
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
我们采用两步生长技术，即淬火冷凝后再进行退火，在玻璃基底上生长超薄银膜。正如在半导体基底上所观察到的那样，这一过程产生了一种亚稳态的均匀银覆盖层。通过测量薄膜生长过程中的原位电阻，我们能够观察到，在 100 开尔文的基底上进行低温生长会产生一种前驱相，该相在薄膜退火前是绝缘的。前驱相向最终金属银膜的转变发生在约 150 开尔文的特征温度附近，此时样品发生重构。这种重构伴随着电阻高达十个数量级的下降。
引用
@article{arxiv.0807.4948,
title = {Ultra-Thin Silver Films obtained by Sequential Quench-Anneal Processing},
author = {S. B. Arnason and A. F. Hebard},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.4948},
year = {2015}
}