利用残余应力放大实现外延碳化硅纳米结构中的超高应变
材料科学
2017-04-26 v1
摘要
应变工程已引起极大关注，特别是对于生长在不同衬底上的外延薄膜。SiC 的残余应变已被广泛用于形成超高频率和高 Q 因子谐振器。然而，迄今为止报道的 SiC 最高残余应变被限制在约 0.6%。引入 SiC 的大应变可能导致若干有趣的物理现象，以及谐振频率的显著改善。我们报道了一种前所未有的纳米应变放大结构，利用外延 3C SiC 与 Si 之间的自然残余应力实现了高达 8% 的超高残余应变。此外，施加的应变可通过改变放大结构的尺寸来调节。引入这种可控超高应变的可能性将为研究大应变区 SiC 的物理性质以及开发超高灵敏度机械传感器打开大门。
引用
@article{arxiv.1701.02791,
title = {Ultra-high strain in epitaxial silicon carbide nanostructures utilizing residual stress amplification},
author = {Hoang-Phuong Phan and Tuan-Khoa Nguyen and Toan Dinh and Ina Ginosuke and Atieh Ranjbar Kermany and Afzaal Qamar and Jisheng Han and Takahiro Namazu and Maeda Ryutaro and Dzung Viet Dao and Nam-Trung Nguyen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.02791},
year = {2017}
}