反铁磁金属中的双杂质安德森模型:零带宽极限
强关联电子
2009-11-13 v1
摘要
我们研究了反铁磁(AF)金属中双杂质安德森模型的零带宽极限。针对不同的模型参数值,我们计算了最低激发能、杂质之间的磁关联 以及每个杂质位点上的磁矩,这些量作为杂质间距离和温度的函数。在零温下,对应于杂质近藤区间的参数区域内,我们观察到AF能隙与双杂质近藤物理之间的有趣竞争。当杂质足够接近时,AF分裂主导系统的物理行为,杂质的局域磁矩被冻结,处于杂质间铁磁关联非常强且大致与距离无关的状态。相反,当杂质相距足够远且AF能隙不太大时,近藤物理情景出现:非磁基态和自旋翻转激发的可能性显现,并且铁磁 随距离增加而减小,但杂质从未完全退耦合。此外,AF能隙的存在使得每个杂质位点具有非零磁矩,表明系统中杂质未被完全近藤屏蔽。我们观察到,当杂质间距离增大时,残余磁矩减小。
引用
@article{arxiv.0809.3253,
title = {Two-Impurity Anderson model in an Antiferromagnetic metal: zero-bandwidth limit},
author = {R. Allub},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.3253},
year = {2009}
}
备注
Paper has been accepted for publication in Journal of Physics: Condensed Matter, 7pages and 10 figures