单个磁畴壁的可调电阻率
介观与纳米尺度物理
2012-02-13 v1 材料科学
摘要
尽管电流驱动的磁畴壁 (DW) 运动对新兴自旋电子学应用具有重要意义，但电流与畴壁相互作用的确切细节尚未被完全理解。与该相互作用密切相关的一个性质是本征 DW 电阻率。本文通过实验研究了 DW 内部的电阻率如何依赖于畴壁宽度 ，该宽度通过聚焦离子束辐照 Pt/Co/Pt 条带进行调控。我们利用克尔显微镜观测了单个 DW 的成核，并实时测量了电阻变化。结果表明，DW 电阻率具有 的依赖关系，这与 Levy-Zhang 理论相符。通过充分考虑流过多层膜堆叠中每一层的电流，结果也与理论在定量上相吻合。
引用
@article{arxiv.1112.1239,
title = {Tunable resistivity of individual magnetic domain walls},
author = {Jeroen H. Franken and Mark Hoeijmakers and Henk J M Swagten and Bert Koopmans},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.1239},
year = {2012}
}
备注
Submitted to Physical Review Letters 4 pages, 3 figures