低电流密度下基于MgO的磁性隧道结中由垂直电流引起的畴壁运动
材料科学
2015-05-27 v1
摘要
通过自旋转移机制在电学上移动磁畴壁（DW）是未来自旋电子存储器或寄存器开关的预期途径之一。电流在磁层平面内注入的经典几何结构，受限于作用于畴壁的本征转矩效率低下。规避这一问题的一种方法是采用垂直电流注入。在这种情况下，理论计算将畴壁位移的微观起源归因于面外（类场）自旋转移转矩。在本文中，我们报告了通过垂直电流注入，在磁性隧道结的平面电极中可控地移动畴壁的实验。我们的测量证实了面外自旋转矩在畴壁运动中的主要作用，并允许对该项进行精确量化。所涉及的电流密度比面内电流通常观察到的约小100倍。磁性隧道结的逐步电阻开关为实现自旋电子忆阻器件开辟了一条新途径。
引用
@article{arxiv.1102.2106,
title = {Vertical current induced domain wall motion in MgO-based magnetic tunnel junction with low current densities},
author = {A. Chanthbouala and R. Matsumoto and J. Grollier and V. Cros and A. Anane and A. Fert and A. V. Khvalkovskiy and K. A. Zvezdin and K. Nishimura and Y. Nagamine and H. Maehara and K. Tsunekawa and A. Fukushima and S. Yuasa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.2106},
year = {2015}
}