人工磁畴结构中畴壁电阻率的角依赖性
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
我们利用精确控制垂直磁化Pt/Co/Pt三层膜磁畴结构的能力，制备人工畴壁阵列并研究其输运性质。该模型系统的标度行为证实了磁电阻的固有畴壁起源，使用与电流方向成各种角度图案化畴的系统研究表明，包含垂直和平行畴壁电阻率的角相关电阻率张量能很好地描述实验结果。我们发现后者与Levy-Zhang理论完全一致，这使我们能够估计少数自旋与多数自旋载流子电阻率之比，rho-down/rho-up~5.5，与薄膜能带结构计算吻合良好。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606614,
title = {Angular dependence of domain wall resistivity in artificial magnetic domain structures},
author = {A. Aziz and S. J. Bending and H. G. Roberts and S. Crampin and P. J. Heard and C. H. Marrows},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606614},
year = {2009}
}
备注
14 pages, 3 figures