电流垂直于平面的自旋阀纳米结构中俘获畴壁的动力学
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
研究了不同尺寸的新型电流垂直于平面（CPP）自旋阀（SV）中横向尾对尾磁畴壁（DW）的行为。对于尺寸大于畴壁宽度的薄膜，我们发现畴壁运动可以产生显著的低频噪声。对于尺寸与畴壁宽度相当的薄膜，我们表明，与具有均匀磁化强度的 CPP-SV 情况不同，畴壁可以通过外场或自旋动量矩来控制。研究表明，在单畴偏置的 CPP-SV 中，自旋力矩可以产生 1/f 型噪声。本工作考虑了偶极场、自旋力矩和奥斯特场。我们提出的自旋阀需要低电流密度来移动畴壁，并且可以在不切换自由层磁化强度的情况下模拟逻辑操作或磁传感设备。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0605586,
title = {Dynamics of a trapped domain wall in a current perpendicular to the plane spin valve nano-structure},
author = {A. Rebei O. Mryasov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0605586},
year = {2007}
}