缺口坡莫合金纳米线中的电流驱动畴壁脱钉
介观与纳米尺度物理
2016-03-23 v1
摘要
在这项工作中，我们通过微磁模拟研究了缺口纳米线中的畴壁（DW）脱钉行为。一个横向畴壁（TW）初始位于缺口中心，施加1 ns长度的电流脉冲以根据缺口尺寸s和线宽变化使DW脱钉。我们观察到脱钉电流密度Jd，即使DW逃离缺口的最小电流。发现脱钉电流密度随线宽和缺口尺寸增大而减小。在脱钉过程中，我们观察到DW内部结构通常从TW转变为反涡旋壁（AVW）。有趣的是，对于s小于70 nm的情况，AVW形成并在电流脉冲作用期间附近脱钉；而对于s大于70 nm的情况，AVW形成直到电流脉冲归零，然后在翻转的TW形成后脱钉。这可以解释为DW内部结构的转变受自旋转矩能量影响，并有助于缺口纳米线中的DW脱钉行为。
引用
@article{arxiv.1512.01954,
title = {Current Driven Domain Wall Depinning in Notched Permalloy Nanowires},
author = {Candra Kurniawan and Dede Djuhana},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.01954},
year = {2016}
}
备注
6 Pages, 3 Figures, Presented in the International Symposium on Frontier of Applied Physics (ISFAP) 2015, Will be published in American Institute of Physics (AIP) Conference Series (Accepted)