通过离子注入调控悬浮石墨多层膜的磁阻行为
介观与纳米尺度物理
2011-06-10 v1
摘要
我们报道了通过离子注入进行点缺陷工程，在悬浮石墨多层膜中实现可调控的磁阻（MR）行为。我们发现离子注入极大地改变了 MR 行为：纯石墨多层膜中的线性正磁阻在引入显著的短程无序（注入的硼或碳原子）后转变为负磁阻，这与最近的非马尔可夫输运理论一致。我们的实验表明了非马尔可夫过程在石墨体系引人注目的 MR 行为中的重要作用，并为理解超越 Drude-Boltzmann 方法的输运现象以及调控石墨层的电子性质打开了新窗口。
引用
@article{arxiv.1104.3635,
title = {Tunable magnetoresistance behavior in suspended graphitic multilayers through ion implantation},
author = {Carlos Diaz-Pinto and Xuemei Wang and Sungbae Lee and Viktor G. Hadjiev and Debtanu De and Wei-Kan Chu and Haibing Peng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.3635},
year = {2011}
}
备注
21 pages, 8 figures (including supplementary materials); http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.83.235410