真空退火过程中原生氧化层Si(001)纳米结构表面扩散的瞬态增强
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们报告了在真空环境下对1175K至1225K范围内进行短时间退火处理后，原生氧化层覆盖的Si(001)纳米结构表面的瞬态增强形变。我们发现，伴随着在覆盖有原生氧化层的表面上形成低能面facet，发生了显著的表面质量运输。当氧化层完全脱附后，增强的表面质量运输停止；而在退火前已通过HF去除原生氧化层的表面上，也未观察到这种增强的表面质量运输。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0301074,
title = {Transient-Enhanced Surface Diffusion on Native-Oxide-Covered Si(001) Nano-Structures during Vacuum Annealing},
author = {H. Lichtenberger and M. Muehlberger and F. Schaffler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0301074},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 4 figures