拓扑绝缘体界面处的越迁场论
强关联电子
2017-09-11 v2 高能物理 - 理论
摘要
物质的拓扑相可通过 Bott 周期性利用 Clifford 代数进行分类。我们考虑了量子霍尔系统和拓扑绝缘体的有效拓扑场论，即 Chern-Simons 场论和 BF 场论。这些系统的边缘态与有效作用量的规范不变性相关。针对两个拓扑绝缘体界面处的边缘态，我们提出越迁场论（transgression field theory）作为一种规范不变的有效作用量。构建了 (2+1)D 和 (4+1)D Chern-Simons 理论以及 (3+1)D BF 理论的越迁作用量。利用越迁作用量，边缘态可用有效 Chern-Simons 理论和 BF 理论的体联络（bulk connections）来表示。
引用
@article{arxiv.1311.1624,
title = {Transgression field theory at the interface of topological insulators},
author = {Özgür Açık and Ümit Ertem},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.1624},
year = {2017}
}
备注
7 pages, title changed, new section, discussions and references added, published version