磁阻随机存取存储器的总电离剂量及协同效应
空间物理
2016-10-06 v1 仪器与探测器
摘要
磁阻随机存取存储器（MRAM）经受了60Co γ射线和电子束辐照。协同效应测试在辐照期间施加额外磁场进行。我们分析了MRAM的总电离剂量（TID）及协同损伤机制。利用超大规模集成电路（VLSI）测试系统，在辐照和退火过程中测试了存储器的直流、交流和功能参数。通过数据分析获得了辐射敏感参数。由于协同效应测试时施加在MRAM上的磁场，浅沟槽隔离（STI）漏电或Frenkel-Poole发射引起的协同效应小于TID效应，且协同效应的辐射损伤低于TID效应。
引用
@article{arxiv.1610.01285,
title = {Total Ionizing Dose and Synergistic Effect of Magnetoresistive Random Access Memory},
author = {Xing-yao Zhang and Qi Guo and Yu-dong Li and Cheng-fa He and Lin Wen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.01285},
year = {2016}
}