单结忆阻器中的环面破裂
系统与控制
2019-09-02 v1 系统与控制
信号处理
适应与自组织系统
混沌动力学
摘要
对单结晶体管（UJT）的实验研究已能够表明，该电子元件具有与所谓“忆阻器”相同的特征。因此，我们利用忆阻器的直流（DC）vM--iM 特性来建模 UJT 的直流电流—电压特性。这使我们一方面确认 UJT 是一种忆阻器，另一方面提出了一个新的四维自治动力系统，用以描述实验观察到的现象，例如从极限环到环面破裂的过渡。
引用
@article{arxiv.1908.11687,
title = {Torus Breakdown in a Uni Junction Memristor},
author = {Jean-Marc Ginoux and Riccardo Meucci and Stefano Euzzor and Angelo Di Garbo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.11687},
year = {2019}
}