V2O3 器件在绝缘体 - 金属转变处的电击穿
材料科学
2014-06-24 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们测量了 V2O3 薄膜微桥在绝缘体 - 金属转变 (IMT) 处的电学性质。电流 - 电压特性 (IV) 中出现的不连续电压跳变（降至较低电压），随后在高电流下呈现近似恒定的电压进程，表明器件发生了电击穿。此外，IV 曲线显示出滞后效应和训练效应，即热循环后的后续 IV 回线与第一个 IV 回线不同。低温扫描电子显微镜 (LTSEM) 显示，整个器件上的电击穿是由电热域 (ETDs) 的形成引起的，即器件内的电流和温度重新分布。相反，在纳米尺度上，电击穿导致单个域的 IMT。在数值模型中，我们将这些域视为电阻网络，成功复现了 IV 曲线中的电热击穿、滞后效应和训练效应。
引用
@article{arxiv.1210.6648,
title = {Electrical Breakdown in a V2O3 device at the Insulator to Metal Transition},
author = {S. Guénon and S. Scharinger and Siming Wang and J. G Ramírez and D. Koelle and R. Kleiner and Ivan K. Schuller},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.6648},
year = {2014}
}