热边界条件对 $\mathbf{VO_2}$ 微桥中电流驱动电阻转变的影响
强关联电子
2017-02-06 v1
摘要
我们研究了 微桥在电流偏置下的电阻开关行为，将其作为温度以及与热浴的热耦合的函数。随着电学电流偏置的增加，金属相的形成可以平滑推进或通过尖锐跳跃进行。这些尖锐电阻下降的幅度和阈值电流值表现出随机行为，并受热耗散条件的显著影响。我们的结果还证明，由电流在 中诱导的金属相传播，以及由此产生的高电导路径的形状，是不可预测的。我们通过基于 薄膜畴结构的简单电热模型讨论了开关事件的起源，该模型有助于改善未来基于 的器件的稳定性和可控性。
引用
@article{arxiv.1702.00805,
title = {Influence of thermal boundary conditions on the current-driven resistive transition in $\mathbf{VO_2}$ microbridges},
author = {Nicola Manca and Teruo Kanki and Hidekazu Tanaka and Daniele Marré and Luca Pellegrino},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.00805},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 4 figures