高Tc薄膜中由电流诱导的高度耗能域
超导电性
2009-11-07 v1
摘要
我们研究了受高电流密度稀释的高Tc薄膜的电阻响应。为此目的，我们将电流脉冲施加到由Nd(1.15)Ba(1.85)Cu3O7 和 Bi2Sr2CaCu2O8 制成的桥结构中。通过记录电压的时间依赖性，我们发现当电流达到临界值 j* 时，沿桥结构某处会形成高度耗能的域。这些域的连续形成产生阶梯形I-V特性。我们提供证据表明，这些域并非温度高于Tc的区域（即热点），相反，这种现象似乎类似于常规超导体在Tc附近观察到的相滑点中心的核化，但在这里它们在较宽的温度范围内出现。在某些条件下，这些域会传播并破坏整个样品中的超导性。我们测量了 j* 的温度依赖性，在两种 investigated 化合物中观察到类似的行为。这种温度依赖性正是预期的depairing电流的行为，但幅度约为100倍。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0205593,
title = {Current-induced highly dissipative domains in high Tc thin films},
author = {S. Reymond and L. Antognazza and M. Decroux and E. Koller and P. Reinert and O. Fischer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0205593},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 9 figures, Revtex, to appear in Phys. Rev. B