窄电流偏置薄膜超导带中的涡旋诱导耗散
超导电性
2011-05-02 v1
摘要
涡旋从薄膜超导带的一边穿过到另一边，垂直于偏置电流，是厚度d约为相干长度XI、宽度w远小于Pearl长度LAMBDA >> w >> XI的薄膜的主要耗散机制。在高偏置电流I* < I < Ic下，单个涡旋穿过释放的热量足以在带中产生一个带状正常态区域，导致可检测的电压脉冲。这里Ic是单个涡旋穿过时能垒消失的临界电流。该带状区域沿涡旋路径形成，并导致整个带转变为正常态。我们估计I*约为Ic/3。此外，我们认为这种“热”涡旋穿过是光子探测器中暗计数的起源，该探测器在I*和Ic之间的亚稳态超导状态下工作。我们估计了涡旋穿过率，并将其与最近的暗计数实验数据进行比较。对于低于I*的电流，即在稳定超导但电阻态下，我们估计了单个涡旋穿过引起的电压脉冲的幅度和持续时间。
引用
@article{arxiv.1102.5130,
title = {Vortex-induced dissipation in narrow current-biased thin-film superconducting strips},
author = {L. N. Bulaevskii and M. J. Graf and C. D. Batista and V. G. Kogan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.5130},
year = {2011}
}
备注
9 pages, 3 figures