载流窄超导带中缺陷控制的涡旋产生
超导电性
2016-05-18 v1
摘要
我们实验研究了单个圆孔对宽度 远小于 Pearl 穿透深度 的窄超导带临界电流 的影响。我们发现 对孔在带宽度方向上的位置呈非单调依赖关系，而当满足 （ 为超导相干长度）的孔位于带中心时， 对孔半径的依赖较弱。观察到的效应源于两种超导电性破坏机制的竞争——涡旋从带边缘的进入以及涡旋-反涡旋对在孔附近的成核。通过 对弱磁场依赖关系的差异，可以清晰地区分这两种机制。
引用
@article{arxiv.1507.02234,
title = {Defect controlled vortex generation in current-carrying narrow superconducting strips},
author = {D. Yu. Vodolazov and K. Ilin and M. Merker and M. Siegel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.02234},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 7 figures