预测非对称超导纳米电路中临界电流随磁场增强的现象

对于宽度 $W$ 远大于 Ginzburg-Landau 相干长度 $\xi$ 但远小于 Pearl 长度 $\Lambda = 2 \lambda^2/d$ 的超导薄条，当其笔直且边缘无缺陷时，临界电流达到最大值。当垂直磁场施加于长直薄条时，临界电流最初随 $H$ 线性减小，但当涡旋或反涡旋被迫进入薄条时，随 $H$ 减小的速度变慢。然而，在包含尖锐 90 度或 180 度转弯的超导薄条中，由于涡旋或反涡旋优先在发生电流拥挤的转弯内角处成核，H=0 处的零场临界电流会降低。利用解析 London 模型计算和含时 Ginzburg-Landau 模拟，我们预测在这种非对称薄条中，通过施加垂直磁场以在转弯内角处诱发与所加电流密度方向相反的电流密度贡献，由此产生的临界电流可以被{\it 增加}。该效应应适用于所有沿相同方向弯曲的转弯。