2H-NbSe$_2$ 超导转变处的低频虚阻抗
超导电性
2020-05-25 v2 介观与纳米尺度物理
强关联电子
摘要
超导转变导致电阻在可能为临界温度 T 很小一部分的温度区间内急剧下降。因此恰好处于 T 的超导体对各种热扰动（包括测量电流耗散的热量）非常敏感。我们证明，在层状材料 2H-NbSe 单晶的电阻转变处，电学电流与热学电流的相互作用导致在数十 Hz 量级频率下出现可观的虚阻抗。我们利用为转变边传感器开发的模型解释了该结果。通过在磁场下及大电流下测量，我们发现虚阻抗受涡旋运动相关的热量与非平衡准粒子的强烈影响。
引用
@article{arxiv.1911.02340,
title = {Low frequency imaginary impedance at the superconducting transition of 2H-NbSe$_2$},
author = {David Perconte and Samuel Manas-Valero and Eugenio Coronado and Isabel Guillamon and Hermann Suderow},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.02340},
year = {2020}
}