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扭曲双层铜氧化物 Hubbard 模型中的拓扑超导性

强关联电子 2026-05-11 v1 超导电性

摘要

我们研究了在弱相互作用机制下由 Hubbard 模型描述的扭曲铜氧化物双层中非平凡拓扑的出现。我们的结果表明,拓扑特征对掺杂水平高度敏感。对于 U/t=3.85U/t=3.85,在电子掺杂情况下 Chern 数取值为 ±8\pm 8,而在空穴掺杂机制下则消失(0)。在保持全关联的同时,通过对有限宽度几何结构中相关边缘态及其手性的分析,进一步支持了非平凡拓扑的存在。

关键词

引用

@article{arxiv.2605.06923,
  title  = {Topological superconductivity in a Hubbard model for twisted bilayer cuprates},
  author = {T. Vibert and D. Sénéchal},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2605.06923},
  year   = {2026}
}

备注

7 pages, 7 figures. Associated data can be found at https://osf.io/em9n8/overview