局部支持对称性与消极干涉的拓扑保护
强关联电子
2026-01-27 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
传统上，对称保护拓扑相位和带交叉点由作用于整个系统的全局对称性所保护。本文表明，仅局部区域保护的对称性（称为局部支持对称性）可以保护整个系统的拓扑特征，即使存在破坏对称性的耦合。我们通过推导从 insulator 和 metal 相中此类保护的显式条件，建立了统一框架，指出布洛赫波函数的消极干涉在其中发挥关键作用。利用代表性紧束列模型，我们展示了由局部分支晶体和时间反演对称性保护的带交叉点和拓扑带，并进一步在一种氟化二苯联网络中实现了实际材料，其中一个带交叉点由局部分支 C 对称性所保护。
引用
@article{arxiv.2601.17272,
title = {Topological Protection by Local Support Symmetry and Destructive Interference},
author = {Jun-Won Rhim and Jaeuk Seo and Seongjun Mo and Hoonkyung Lee and Sejoong Kim and B. Andrei Bernevig},
journal= {arXiv preprint arXiv:2601.17272},
year = {2026}
}
备注
5 figures