带矢量介子的夸克双子反衰变的拓扑图分析

本 work 进一步发展了拓扑图方法（TDA）应用于夸克双子弱反衰变 $\mathcal{B}_c \to \mathcal{B} V$（其中 $V$ 为矢量介子）的应用。通过纳入 Korner-Pati-Woo 定理，我们表明仅需五个独立的 TDA 参数。在 TDA 框架下，显式推导了源于等质子、U-自旋和 V-自旋对称性的不同衰变通道之间的关系。从全局拟合实验数据中提取了与不同拓扑图相关的部分波贡献和形式因子。我们发现由矢量介子与八重字节子间的张量相互作用诱导的形式因子 $A_2$ 和 $B_2$ 的大小与 $A_1$ 和 $B_1$ 相当，这表明张量耦合在 $\mathcal{B}_c \to \mathcal{B} V$ 反衰变中具有重要性。预测了所有 $\mathcal{B}_c\to \mathcal{B} V$ 通道的分支截至率，大多数测量模式与当前数据良好一致。还预测了更多的物理可观测量，包括上下不对称、纵向极化以及后续反衰变中的可观测量。我们的结果为理解带矢量介子的夸克双子弱反衰变提供了系统框架，可通过未来的实验进行进一步检验。