作为机械刚性红外带隙半导体的锡单硫族化物异质结构
材料科学
2018-05-30 v1 介观与纳米尺度物理
计算物理
摘要
基于第一性原理密度泛函计算，我们表明SnS和SnSe层可以与构成它们的起皱或弯曲单层形成机械刚性异质结构。由于强层间耦合，导带和价带边缘的电子波函数在整个异质结构中离域。由此产生的异质结构带隙位于红外区域。通过应变工程，起皱相中的异质结构带隙经历了从间接到直接的转变。我们的结果表明，电子波函数与层状异质结构的机械刚性之间存在直接的相关性。
引用
@article{arxiv.1803.10364,
title = {Tin monochalcogenide heterostructures as mechanically rigid infrared bandgap semiconductors},
author = {V. Ongun Özçelik and Mohammad Fathi and Javad G. Azadani and Tony Low},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.10364},
year = {2018}
}