半导体器件中电子与空穴的时间周期流
偏微分方程分析
2021-10-05 v2
摘要
本文的主要目的为对半导体中电子与空穴的时间周期流进行数学分析。这些流动出现在对器件施加交流电压的情形下。本文中，我们研究三维有界域中半导体的漂移-扩散模型，并探讨时间周期解的存在性与稳定性。我们首先导出时间全局解的一致于时间的估计，随后通过相对熵方法证明任意两个解的差在时间趋于无穷时指数衰减。这些事实使我们能够证明时间周期解的唯一存在性与全局稳定性。
引用
@article{arxiv.2002.06872,
title = {Time-periodic flows of electrons and holes in semiconductor devices},
author = {Toru Kan and Masahiro Suzuki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.06872},
year = {2021}
}