过渡金属硫族化物单层的紧束缚压电理论与机电耦合关联
介观与纳米尺度物理
2018-09-12 v2
摘要
半导体性过渡金属硫族化物单层(TMDMs)缺乏反演对称性，使其具有可观的分子级本征压电性，这为原子级薄压电电子学与光电子学开辟了前景。在此，基于紧束缚(TB)方法与Berry相位极化理论，我们建立原子尺度TB理论以揭示TMDMs中的压电物理。利用TB压电理论，我们预测了其衡量电子-声子耦合的电子Grüneisen参数(EGP)。借助所构建的解析压电模型，我们进一步揭示了压电系数的电子贡献与应变诱导赝磁规范场(PMF)之间的关联。这些为TMDMs预测的EGP与PMF可通过实验检验，因此TB压电模型是计算电子-声子相互作用与PMF的另一种理论框架。
引用
@article{arxiv.1801.00995,
title = {Tight-binding Piezoelectric Theory and Electromechanical Coupling Correlations for Transition Metal Dichalcogenide Monolayers},
author = {Yunhua Wang and Zongtan Wang and Jie Li and Jie Tan and Biao Wang and Yulan Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.00995},
year = {2018}
}