VIB 族过渡金属二硫属化物单层的三带紧束缚模型
材料科学
2014-03-07 v4 介观与纳米尺度物理
摘要
我们提出了一个三带紧束缚 (TB) 模型,用于描述 VIB 族过渡金属二硫属化物 (=Mo, W; =S, Se, Te) 单层中的低能物理。由于导带和价带边主要由 原子的 、 和 轨道贡献,该 TB 模型基于单层的对称性利用这三个轨道构建。TB 模型的参数是通过拟合所有 单层的第一性原理能带得到的。仅涉及最近邻 - 跃迁的 TB 模型足以捕捉 谷的带边特性,包括能量色散关系以及贝里曲率。涉及直至第三近邻 - 跃迁的 TB 模型可以很好地重现整个布里渊区的能带。通过包含 原子的在位自旋 - 轨道相互作用,很好地解释了价带中的自旋 - 轨道耦合。导带也表现出微小的谷依赖自旋分裂,其在 Mo 和 W 之间具有总体符号差异。我们讨论了对三带模型这些修正的起源。此处开发的三带 TB 模型能有效解释 单层中的低能物理,其简洁性在多体物理和边缘态物理研究中尤为有用。
引用
@article{arxiv.1305.6089,
title = {Three-band tight-binding model for monolayers of group-VIB transition metal dichalcogenides},
author = {Gui-Bin Liu and Wen-Yu Shan and Yugui Yao and Wang Yao and Di Xiao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.6089},
year = {2014}
}
备注
11 pages, 10 figures, 4 tables