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拓扑绝缘体表面态光电子的格林函数方法

代数拓扑 2017-03-22 v3 范畴论

摘要

表面电子态的拓扑性质通过光发射被探测到。我们解释了来自拓扑表面态的光发射。这是通过识别表面电子 - 光子与真空电子之间的有效耦合来完成的。有效电子 - 光子耦合由 eτ2e\tau^2 给出,其中 τ\tau 是零模表面态隧穿进入真空的无量纲隧穿振幅。我们计算了发射光电子的极化和强度。我们引入了一个模型,该模型考虑了表面电子与光子耦合的 Dirac 哈密顿量以及零模向真空的隧穿。在格林函数形式体系内,我们获得了激光场二阶下发射光电子的精确结果。发射光电子的数量对激光相干态强度敏感,极化对电子态的表面拓扑结构和入射光子极化敏感。计算针对螺旋、Zeeman 和翘曲情形进行,以便研究自旋织构。

关键词

引用

@article{arxiv.1501.06612,
  title  = {$THH$ and base-change for Galois extensions of ring spectra},
  author = {Akhil Mathew},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1501.06612},
  year   = {2017}
}

备注

9 pages. Revised version includes new examples. To appear in Algebraic and Geometric Topology