拓扑绝缘体表面态光电子的格林函数方法
代数拓扑
2017-03-22 v3 范畴论
摘要
表面电子态的拓扑性质通过光发射被探测到。我们解释了来自拓扑表面态的光发射。这是通过识别表面电子 - 光子与真空电子之间的有效耦合来完成的。有效电子 - 光子耦合由 给出,其中 是零模表面态隧穿进入真空的无量纲隧穿振幅。我们计算了发射光电子的极化和强度。我们引入了一个模型,该模型考虑了表面电子与光子耦合的 Dirac 哈密顿量以及零模向真空的隧穿。在格林函数形式体系内,我们获得了激光场二阶下发射光电子的精确结果。发射光电子的数量对激光相干态强度敏感,极化对电子态的表面拓扑结构和入射光子极化敏感。计算针对螺旋、Zeeman 和翘曲情形进行,以便研究自旋织构。
引用
@article{arxiv.1501.06612,
title = {$THH$ and base-change for Galois extensions of ring spectra},
author = {Akhil Mathew},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.06612},
year = {2017}
}
备注
9 pages. Revised version includes new examples. To appear in Algebraic and Geometric Topology