稀磁GaMnAs光学电导率理论
材料科学
2010-06-22 v1
摘要
我们构建了一个半微观理论，用于描述稀磁极限下（x = 1%）GaMnAs的光学电导率。我们构建了一个有效哈密顿量，该哈密顿量涵盖了杂质带内的光学跃迁以及价带与杂质带之间的跃迁。哈密顿量的所有参数均通过微观变分计算得出。我们发现，在未补偿样品中，杂质带内的金属-绝缘体转变发生在浓度范围x = 0.2-0.3，而在补偿样品中则发生在x = 1-3%，这与实验吻合良好。我们发现光学质量m_opt = m_e，该值几乎与杂质浓度无关，但在金属-绝缘体转变附近除外，此时其值可高达m_opt = 10 m_e。我们还重现了在ħω = 200 meV处的中红外峰，该峰随掺杂发生红移，与实验定量一致。
引用
@article{arxiv.0906.0770,
title = {Theory of optical conductivity for dilute GaMnAs},
author = {C. P. Moca and G. Zarand and M. Berciu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.0770},
year = {2010}
}
备注
17 pages, 16 figures, submitted to Physical Review B