绝热喷泉共振理论

澄清了超流体$^4$He的“绝热喷泉共振”理论。在该几何结构中，两片在外缘键合的硅片之间的膜区通向具有自由表面的中心区域。我们发现，该系统中的共振并非Gasparini及其合作者所声称的亥姆霍兹共振，而实际上是第四声共振。我们假定其出现在相对较低频率是因为薄硅片在声波的压力振荡下发生明显弯曲。