光对硅纳米线的共振弯曲
光学
2020-10-28 v1
摘要
两根矩形截面介质线的耦合产生成键与反键共振。当反键共振模式的形态趋近于高方位角指数的有效圆形线Mie共振模式形态时，反键共振呈现出共振宽度随截面纵横比和线间距离变化的极窄化特征。此时，与该反键共振共振的平面波引起光力的空前增强，可达每微米线长数纳牛顿。光力随平面波入射角振荡，但始终试图排斥两线。若线两端固定，光力导致线的弹性偏转达量级（线长、光功率）。
引用
@article{arxiv.2007.15434,
title = {Resonant bending of silicon nanowires by light},
author = {Evgeny Bulgakov and Almas Sadreev},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.15434},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 5 figures. arXiv admin note: text overlap with arXiv:2007.08721