从格点QCD得到的拓扑磁化率和 f_pi
高能物理 - 格点
2008-11-26 v2 高能物理 - 唯象学
高能物理 - 理论
摘要
我们使用 O(a) 改进的夸克作用量产生的格点场组,研究了双味 QCD 中的拓扑磁化率 。我们发现了预期的在小夸克质量下的抑制效应,并考察了 随夸克质量的变化。由此得到的 pion 衰变常数估计值 MeV 与实验值约 93 MeV 一致。我们将 与大 N_c 预言进行比较,发现两者在很大夸克质量范围内一致。我们讨论了非微扰作用量改进方案以及保持格点间距(近似)固定而改变夸克质量这一策略的优点。我们将我们的结果与其他研究进行比较,并解释了为何并非总能观察到这种夸克质量依赖性。
引用
@article{arxiv.hep-lat/0108006,
title = {The topological susceptibility and f_pi from lattice QCD},
author = {UKQCD Collaboration and A. Hart and M. Teper},
journal= {arXiv preprint arXiv:hep-lat/0108006},
year = {2008}
}
备注
LaTeX. Supercedes our preprint hep-ph/0004180. Version to appear in Phys. Lett. B