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从格点QCD得到的拓扑磁化率和 f_pi

高能物理 - 格点 2008-11-26 v2 高能物理 - 唯象学 高能物理 - 理论

摘要

我们使用 O(a) 改进的夸克作用量产生的格点场组,研究了双味 QCD 中的拓扑磁化率 χ\chi。我们发现了预期的在小夸克质量下的抑制效应,并考察了 χ\chi 随夸克质量的变化。由此得到的 pion 衰变常数估计值 fπ=105±610+18f_\pi = 105 \pm 6 ^{+18}_{-10} MeV 与实验值约 93 MeV 一致。我们将 χ\chi 与大 N_c 预言进行比较,发现两者在很大夸克质量范围内一致。我们讨论了非微扰作用量改进方案以及保持格点间距(近似)固定而改变夸克质量这一策略的优点。我们将我们的结果与其他研究进行比较,并解释了为何并非总能观察到这种夸克质量依赖性。

关键词

引用

@article{arxiv.hep-lat/0108006,
  title  = {The topological susceptibility and f_pi from lattice QCD},
  author = {UKQCD Collaboration and A. Hart and M. Teper},
  journal= {arXiv preprint arXiv:hep-lat/0108006},
  year   = {2008}
}

备注

LaTeX. Supercedes our preprint hep-ph/0004180. Version to appear in Phys. Lett. B