无快扩散电活性杂质污染的Sb向Ge中的扩散
材料科学
2007-05-23 v5
摘要
我们开发了一种方法，使得Sb能够在高温（约850°C）下扩散进入Ge，而不会受到快扩散电活性杂质（特别是Cu）的污染。使用液态金属合金作为Cu和其他快扩散杂质的吸气剂。这种合金，即Ga-In共晶，完全包围Ge样品，尽管仅在一个面上物理接触。我们简要回顾了Cu作为Ge中污染物的行为以及已知的防止和提取（或收集）Cu污染的方法。我们描述了初步实验，这些实验证明了即使使用液态金属吸气剂（Ge-In和Au），也难以去除快扩散杂质。我们讨论了该技术的优缺点。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0407111,
title = {The Diffusion of Sb into Ge without Contamination by Fast Diffusing Electrically Active Impurities},
author = {D. Alexiev and D. A. Prokopovich and L. Mo},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0407111},
year = {2007}
}
备注
7 pages, paper was originally written by Dr D. Alexiev and edited and submitted by D. Prokopovich. Minor corrections