SiO2 上 CVD 石墨烯中氧响应随温度的反转
材料科学
2013-10-02 v1
摘要
我们利用化学气相沉积法在铜箔上合成了单层石墨烯，并将其转移到带有预制 Ti/Au 电极对的 Si/SiO2 衬底顶部。以此方式制备的电阻式石墨烯基气体传感器在室温下显示出 n 型氧响应，我们成功利用双位点 Langmuir 模型拟合了不同氧水平下获得的数据。当温度升高至 100 °C 后，观察到传感器的 p 型氧响应，而当温度降低回室温时，可逆地转变回 n 型行为。这种气体响应类型随温度的反转被解释为吸附物诱导的电荷转移与电荷载流子散射之间相互作用的结果。推导了传递函数，该函数通过诱导的迁移率和电荷密度变化将电响应与表面覆盖率联系起来。
引用
@article{arxiv.1310.0215,
title = {Temperature induced inversion of oxygen response in CVD graphene on SiO2},
author = {Raivo Jaaniso and Tauno Kahro and Jekaterina Kozlova and Jaan Aarik and Lauri Aarik and Harry Alles and Aare Floren and Alar Gerst and Aarne Kasikov and Ahti Niilisk and Väino Sammelselg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.0215},
year = {2013}
}
备注
8 figures, in press, accepted manuscript. Sensors and Actuators B: Chemical (2013)