有限温度下石墨烯的横向电流 - 电流响应、等离激元与吸收

我们计算了有限温度和化学势下石墨烯的线性横向电流 - 电流响应函数。在随机相位近似下，我们讨论了超越局域响应的横向等离激元的一般特性，例如它们对温度和周围介电介质的依赖性。我们发现，例如，对于折射率 $n\simeq 40$ 的均匀介电介质，该模式具有最大约束性。通过将石墨烯片置于光学腔内可以进一步增强约束性，但存在一个临界宽度，低于该宽度则无法维持横向模式。对于零掺杂和有限温度情况，与纵向通道不同，不存在定义明确的横向等离激元激发。我们还讨论了单层和双层系统中 $s$ 偏振和 $p$ 偏振的电磁辐射吸收，并指出对于入射角 $\theta\approx89^o$ 的 $s$ 偏振光，达到了 50% 的理论极限。