有限温度下带隙石墨烯开放系统中的等离激元耗散
介观与纳米尺度物理
2016-01-20 v1
摘要
首先，针对自由站立的带隙石墨烯，在有限温度下获得了等离激元色散关系和耗散速率的数值解以及闭式解析表达式。这些封闭系统的结果被推广到石墨烯电子与外部电子库发生库仑耦合的开放系统。在该开放系统中发现了新的等离激元模式以及新的等离激元耗散通道，其中包括由带隙石墨烯中电子热激发与能带隙共同作用所引起的显著修正。此外，通过调整石墨烯层与厚导体表面之间的距离，可以完全控制新等离激元模式的特征以及额外的等离激元耗散。给出并分析了掺杂带隙石墨烯层中等离激元频率的热偏移及其对局部环境敏感性的数值结果。这种与等离激元频率偏移相关的现象可应用于晶体管和纳米等离激元结构中局部电子温度的直接光学测量。
引用
@article{arxiv.1510.02529,
title = {Plasmon dissipation in gapped-graphene open systems at finite temperature},
author = {Andrii Iurov and Godfrey Gumbs and Danhong Huang and V. M. Silkin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.02529},
year = {2016}
}
备注
16 pages, 7 figures