温度和掺杂对封装双层石墨烯异质结构中等离激元激发的影响
介观与纳米尺度物理
2017-09-05 v2
摘要
我们对一对石墨烯薄片被限制于导电材料之间时所产生的石墨烯等离激元谱进行了全面分析。通过调整石墨烯层间距离、能带隙以及环绕二维（2D）层的导电介质中载流子浓度，相关的增强局域场可用于纳米尺度上的光操控。我们提出了一种基于表面响应函数计算的理论形式，用于确定封装的二维层对的等离激元谱，并将其应用于石墨烯。我们求解了涉及杂化结构各组分分界面处电势连续与电场不连续的耦合方程。我们比较了封装的有隙与无隙石墨烯的等离激元模式。与“三明治”系统耦合的相关的非局域石墨烯等离激元谱显示出线性声学等离激元模式，以及对应于相邻二维电荷密度同相振荡的低频模式。这些计算与石墨烯被一对厚导电材料限制时通过等离激元激发进行能量转移的研究相关。
引用
@article{arxiv.1605.06070,
title = {Effect of Temperature and Doping on Plasmon Excitations for an Encapsulated Double-Layer Graphene Heterostructure},
author = {Godfrey Gumbs and Dipendra Dahal and Antonios Balassis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.06070},
year = {2017}
}
备注
12 pages and 4 figures. arXiv admin note: text overlap with arXiv:1601.01373