SnSe热电性能中能谷的温度与掺杂依赖性作用：第一性原理研究
材料科学
2017-08-16 v1
摘要
我们从理论上研究了各轨道和能谷在SnSe高热电性能中所起的作用。在空穴掺杂区域，两种价带能谷对其输运性质有贡献：一种是位于U-Z线附近的能谷，主要由Se-轨道组成；另一种是沿-Y线的能谷，主要由Se-轨道组成。前者在室温下对决定输运性质起主要作用，而后者也提供了相当的贡献，因此随着温度升高，能带结构表现出多能谷特征。在电子掺杂区域，点附近的导带能谷单独贡献了热电性能，其中沿轴的准一维电子结构至关重要。本研究为SnSe的热电性质提供了重要知识，并将对未来寻找高性能热电材料有所帮助。
引用
@article{arxiv.1704.00968,
title = {Temperature- and doping-dependent roles of valleys in thermoelectric performance of SnSe: a first-principles study},
author = {Hitoshi Mori and Hidetomo Usui and Masayuki Ochi and Kazuhiko Kuroki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.00968},
year = {2017}
}
备注
9 pages, 8 figures