拓扑绝缘体 Bi$_2$Se$_3$ 的透射电镜纳米雕刻
介观与纳米尺度物理
2017-12-07 v1
摘要
我们提出了一种利用高分辨率透射电子显微镜将 BiSe 纳米片雕刻成具有应用相关几何结构的方法。该过程雕刻小区域需数分钟，可用于将 BiSe 切割成线和环、减薄 BiSe 的某些区域，以及钻出圆形孔和线。我们确定该方法可实现亚 10 纳米特征尺寸，并在钻孔区域形成洁净边缘。通过原位高分辨率成像、选区衍射和原子力显微镜，我们发现该光刻过程保持了 BiSe 的晶体结构。相比离子束修饰，透射电镜雕刻更精确且可能产生更洁净的边缘；因此，该方法在热电和拓扑器件中的前景呼吁对其结构的输运性质进行进一步研究。
引用
@article{arxiv.1712.02032,
title = {TEM Nanosculpting of Topological Insulator Bi$_2$Se$_3$},
author = {Sarah Friedensen and William M. Parkin and Jerome T. Mlack and Marija Drndic},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.02032},
year = {2017}
}
备注
11 pages, 7 figures