Bi$_2$Te$_3$ 类拓扑绝缘体薄膜上纳米结构的低损伤电子束光刻
介观与纳米尺度物理
2023-07-05 v1
摘要
纳米结构拓扑绝缘体(TIs)有潜力影响从 Majorana 物理到自旋电子学的广泛凝聚态物理课题。然而，最常见的 TI 材料 BiSe 族在器件纳米加工过程中易受损伤。本文中，我们表明以 30 或 50 kV 加速电压（学界纳米图形化的常用条件）进行的电子束光刻，对非磁性 TI 及其磁性掺杂对应物均造成了不可接受的损伤。我们还证明，以 10 kV 加速电压进行的电子束光刻仅产生可通过低温电子输运探测到的极小损伤。尽管降低加速电压在制备精细特征时存在挑战，我们表明通过谨慎选择工艺参数（尤其是抗蚀剂），可可靠实现 100 nm 特征尺寸。
引用
@article{arxiv.2301.11900,
title = {Low-damage electron beam lithography for nanostructures on Bi$_2$Te$_3$-class topological insulator thin films},
author = {Molly P. Andersen and Linsey K. Rodenbach and Ilan T. Rosen and Stanley C. Lin and Lei Pan and Peng Zhang and Lixuan Tai and Kang L. Wang and Marc A. Kastner and David Goldhaber-Gordon},
journal= {arXiv preprint arXiv:2301.11900},
year = {2023}
}
备注
10 pages, 5 figures