Sb2Te3 拓扑绝缘体薄膜的各向异性磁光热电压
介观与纳米尺度物理
2024-03-18 v1
摘要
我们研究了在Sb2Te3拓扑绝缘体（Topological Insulator, TI）薄膜中在平面磁场扫描下的纵向和霍尔光热电压。与以前利用极化光诱导光电流研究TI的研究不同，我们的研究基于无偏振光诱导的局部加热，引入了进步性方法。该方法产生一种热电响应，显示出强自旋轨道耦合的直接特征。我们的分析揭示了在平面磁场数据拟合中存在三种不同的贡献。应用磁场与热梯度在bulk轨道上的相互作用，使我们能够区分来自垂直热梯度的普通Nernst效应与来自平面热梯度的异常磁热效应。我们的数据拟合理论模型表明，这些效应主要来自TI的bulk态而非surface态。这些发现突显了基于PLD生长的 epitaxial 拓扑绝缘体薄膜作为光电子器件（包括传感器和执行器）的有前景的候选对象。此类器件通过聚焦入射光的位置依赖的、非侵入性的局部加热以及施加磁场方向的变化可实现可控响应。
引用
@article{arxiv.2403.10141,
title = {Anisotropic magneto-photothermal voltage in Sb2Te3 topological insulator thin films},
author = {Subhadip Manna and Sambhu G Nath and Samrat Roy and Soumik Aon and Sayani Pal and Kanav Sharma and Dhananjaya Mahapatra and Partha Mitra and Sourin Das and Bipul Pal and Chiranjib Mitra},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.10141},
year = {2024}
}