中子反射法研究氢化钇薄膜表面的氧化物
材料科学
2012-05-21 v1
摘要
标准成分分析方法对含 H 薄膜的适用性有限。中子反射法是一种强大的无损方法，由于 H 具有较大的负散射长度，该方法特别适用于此类体系。在本工作中，我们展示了如何利用中子反射法研究氢化钇薄膜。中子反射法在薄膜与表面氧化层之间提供了强烈的对比度，使我们能够估算氧化物厚度和氧渗透深度。研究发现，未保护的氢化钇薄膜表面存在一层 5-10 nm 厚的氧化层。
引用
@article{arxiv.1205.4132,
title = {Surface oxide on thin films of yttrium hydride studied by neutron reflectometry},
author = {Trygve Mongstad and Charlotte Platzer-Björkman and Jan Petter Mæhlen and Bjørn C. Hauback and Smagul Zh. Karazhanov and Fabrice Cousin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.4132},
year = {2012}
}